SUNSAY GENERIC有限公司是等离子用电源（高周波电源及Matching Unit）、各种测定机器等等在从事开发到制造的同时、另外半导体制造用的机器人的开发也在进行之中。
RF Generator和RF Maching Unit 采用的是高速32Bit RISC CPU,根据独自的电子化操控算法实现了高速PLASMA高精度到安定之后的PLASMA环境。
以往的产品相比较、高速动作、提高了约1.5倍～20倍、动作安定度 提高了约1.5倍～10倍。
高负荷PLASMA环境、为了是条件对应、独自的高耐压、大电流、开发了高周波NET WORK 来实现了阻抗的急激的变动和高破坏耐量。
PLASMA状态的管理、PLASMA条件、Recipe的开发、简单的评价是肯能的。
使用了高速RISC CPU、基于独自的电子化技术专利，以高速、高精度、将RF信号以电子化进行处理、RF实时解析、调查、RFInterlock等等、在Process中的阻抗的变动用高速及高精度捕捉的时候异常放电等等的短时间的变化都不会被忽略。
根据WINDOWS SOFT把所有的数据可容易的进行共有、解析、保存。
PLASMA状态的管理是可以很容易的进行的。
使用了高速32Bit RISC CPU、基于独自的电子化技术专利 以高速、高精度、将RF信号以电子化进行处理、RF实时解析、调查、RF Interlock等等、在Process中的阻抗的变动用高速及高精度捕捉的时候异常放电等等的短时间的变化都不会被忽略。
一旦被检测PLASMA的不正常之后和被PROGRAM之后、重试过程然后异常处理过程会自动移行起来、为了把保持把安定之后的工艺环境。
根据不正常预知诊断机器的正常值、报警值、异常值的管理来安排动作的安定。
独自开发的超真空密封技术、纳米干式密封技术已经开发完成了。在以往、存有的问题磁性体的腐蚀问题上用非金属纳米干燥密封技术给予了解决。
根据水分及盐素系瓦斯等来仰制磁体（铁分等）的盐素反应的腐蚀问题上、磁性流体密封在湿润环境下及腐蚀性瓦斯环境下已经得到了使用的可能。
另外、在磁性流体密封一旦在高真空环境中使用之后、为了防止润滑剂被汽化及在高真空下下不能够使用的问题上、使用我们独自开发的超真空密封技术 无油(Oilless)纳米式干燥密封 已经得以解决了这些问题。
在半导体、液晶、太阳电池、有机EL、薄膜的开发下、在背负着中心技术PLASMA技术开发下、独创性被赋予很高的评价、这个技术被评价之后专利也被取得、独创性也得以发挥、以往的技术解决不了的问题都取得了飞跃性的改善。
地球环境的改善、为了展现低酸素社会、对社会环境的改善也正在努力着新技术的开发。
和以往的商品来比消费电力约为30%～85%低减。
和以往的商品来比环境负荷减低至约为30%～70% 寿命大约为1.5倍～3倍和长寿命。
我公司、为了评价，公司内部进行了 开发、设计、软件开发、试做、测试、实现了短期交货的对应。
独自开发的高速32Bit RISC CPU电化温度调节技术已经被开发出来了。
根据独自的 绝对值制御 程序 根据数字温度调节技术来和过去的产品做比较对与设定温度的安定性向上大约20％～90％。
独自开发了内置节能水箱 多段滚动 变频器及循环泵。
独自的压力数据控制运转、根据数据流量控制运转跟以往的产品相比能节约电力约15%～80%的消费电力 根据长寿命化保守费用约能够减低约20%～75%的费用。
独自的电子应用技术、CPU开发技术、软件开发、控制技术
模拟、电化控制技术、数字化控制技术、数字化通信技术、高周波开发技术
AC、DC、高压电源的开发技术 伺服技术
PLASMA技术、真空技术
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在半导体制造的时候、Etching工程背负着制造装置的开发。
另外、还背负着半导体制造装置的保障到保守作业。
半导体制造装置的微细加工对应VER UP改造 300mm 200mm 150mm
半导体制造装置的NEW Process 转换 改造
液晶、太阳电池制造的微细加工对应VER UP 改造 2G～8G
液晶、太阳电池制造的NEW Process转换 改造 2G～8G
半导体制造装置的微细加工对应PLASMA模块 VERUP改造
超高速RF MATCHING技术最高速度实现 10mSEC
半导体制造装置的NEW Process 转换 改造
液晶、太阳电池制造的微细加工对应VER UP改造2G～8G
液晶、太阳电池制造的NEW Process 转换改造 2G
有机EL 微细加工、新素材Process对应VERUP改造1G～
工业用薄膜加工用PLASMA工程转换改造
半导体制造装置的高真空加工用真空搬运ROBOT转换改造UP改造
半导体制造装置的细微加工用真空搬运ROBOT VERUUP改造
半导体制造装置的真空素材Process加工用PLASMA组装VERUP改造
半导体制造装置的Deep Trench加工用 PLASMA组装VERUP改造
液晶制造的微细加工对应VERUP改造2G～8G
2次电池用制造装置的真空素材Process PLASMA组装VERUP改造
原版制造装备的微细Process PLASMA组装VERUP改造
太阳电池制造的NEW Process 转换改造 2G～8G
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